Южнокорейский технологический гигант Samsung Electronics объявил о начале процесса отправки тестовых образцов своих перспективных чипов памяти HBM4E потенциальным заказчикам. Новинка представляет собой 12-слойную архитектуру, ключевой особенностью которой стало увеличение производительности более чем на 20% по сравнению с предыдущим поколением HBM4.
Технологические особенности и прогресс
При создании данных чипов компания задействовала передовые производственные мощности:
- Применение техпроцесса 1c DRAM, относящегося к шестому поколению 10-нм класса.
- Использование 4-нм технологии при производстве логической базовой пластины.
Важно отметить, что компания форсирует выпуск инновационных продуктов: рассылка образцов HBM4E началась спустя всего три месяца после старта поставок HBM4. Подобная стратегия является частью масштабного плана Samsung по возвращению утраченных позиций на рынке высокоскоростной памяти, где в последнее время доминируют SK Hynix и Micron.
Рыночное положение и перспективы
Среди ключевых клиентов Samsung по-прежнему остаются технологические лидеры индустрии: AMD, Nvidia и Google. Кроме того, на фоне новостей о стратегическом партнерстве с разработчиком ИИ-решений Anthropic, котировки акций Samsung продемонстрировали рост на 6,5%.
Эксперты подчеркивают, что успешное прохождение квалификации HBM4E станет критическим фактором для изменения расстановки сил на рынке. На данный момент ситуация выглядит следующим образом:
«Текущая доля рынка распределена между игроками: 57% удерживает SK Hynix, на долю Samsung приходится 22%, а Micron занимает 21%», — отмечают аналитики.
Дополнительным драйвером роста для компании может стать контрактное производство чипов, так как мощности основного конкурента, TSMC, на данный момент испытывают высокую степень загруженности.